参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF8306MTR1PBF
说明	未分类   DIRECTFET™MX DirectFET™等容MX
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2024-05-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	23A(Ta),140A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	38nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4110pF @ 15V
FET类型	肖特基二极管(体)
功率	2.1W(Ta),75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.5 毫欧 @ 23A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	DIRECTFET™ MX
封装/外壳	DirectFET™ 等容 MX
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V