参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF8910GTRPBF
说明	未分类   SO8 8-SO
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	10A
Rds On(Max)@Id,Vgs	13.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.55V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	960pF @ 10V
功率	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SO8
封装/外壳	8-SO