参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | IRF8915TR |
说明 | 未分类 8-SOIC 8-SO |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 293 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | 2N-Channel |
FET类型 | 逻辑电平门 |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 8.9A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 18.3 毫欧 @ 8.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.4nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 540pF @ 10V |
功率 | 2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SO |