IRF8304MTRPBF

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
IRF8304MTRPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id28A(Ta),170A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)42nC @ 4.5V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4700pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)2.8W(Ta),100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs2.2mΩ@28A,10V
工作温度-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳MG-WDSON-5

功率MOSFET   MG-WDSON-5

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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