参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF8252PBF
说明	通用MOSFET   8-SO SO8 SOIC 5x4x1.5mm 5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	648 [库存更新时间：2026-01-17]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	25A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	53nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5305pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	13V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.7 毫欧 @ 25A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SO8
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	25 A
漏源极电压Vds	25 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	3 m0hms
栅极电压Vgs	2.35V
最小栅阈值电压	1.35V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOIC
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
高度	1.50mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	5 x 4 x 1.5mm
宽度	4mm
系列	HEXFET
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	5305 pF@ 13 V
典型关断延迟时间	19 ns
典型接通延迟时间	23 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	5mm