参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF8010PBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB
起订量	1
最小包	1
现货	412 [库存更新时间：2024-11-01]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	120nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3830pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	260W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	120nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3830pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	15mΩ@45A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	80A
封装/外壳	TO-220AB