参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF830PBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB
起订量	1
最小包	1
现货	412 [库存更新时间：2024-05-06]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	38nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	610pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220AB
连续漏极电流Id	4.5A
Pd-功率耗散(Max)	74W
Qg-栅极电荷	38nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5Ω
漏源极电压Vds	500V
栅极电压Vgs	2V
上升时间	16ns
下降时间	16ns
典型关闭延迟时间	42ns
典型接通延迟时间	8.2ns
正向跨导 - 最小值	2.5S
系列	IRF
通道数量	1Channel
配置	Single