参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF8707GTRPBF
说明	功率MOSFET   5mm
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2024-05-19]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	9.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	760pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	11A
Rds On(Max)@Id,Vgs	17.5mΩ
最小栅阈值电压	1.35V
晶体管配置	单
引脚数目	8
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	2.5W
系列	HEXFET
高度	1.50mm
晶体管材料	Si
典型关断延迟时间	7.3 ns
典型接通延迟时间	6.7 ns
宽度	4mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	5mm