参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7902TRPBF
说明	功率MOSFET   8-SO
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2026-01-19]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	580pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
Rds On(Max)@Id,Vgs	22.6mΩ@6.4A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.25V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.9nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	580pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	1.4W,2W
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	6.4A,9.7A
封装/外壳	8-SO