参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF7807PBF
说明	未分类   SOIC 8-SO SO8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	178 [库存更新时间：2024-04-30]
封装/外壳	SOIC
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	8.3A
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	8.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 5V
栅极电压Vgs	±12V
功率	2.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	25 毫欧 @ 7A,4.5V
封装/外壳	8-SO
封装/外壳	SO8