参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7380TRPBF
说明	功率MOSFET   SOIC 4.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	179 [库存更新时间：2025-04-11]
系列	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	660pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC
通道数量	2Channel
漏源极电压Vds	80V
连续漏极电流Id	3.6A
Rds On(Max)@Id,Vgs	73mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	15nC
配置	Dual
Pd-功率耗散(Max)	2W
高度	1.75mm
长度	4.9mm
FET类型	2N-Channel
宽度	3.9mm
正向跨导 - 最小值	4.3S
下降时间	17ns
上升时间	10ns
典型关闭延迟时间	41ns
典型接通延迟时间	9ns