参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7410TRPBF
说明	功率MOSFET   8-SO
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	178 [库存更新时间：2024-05-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	91nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8676pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	91nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	8676pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7mΩ@16A,4.5V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	16A
封装/外壳	8-SO
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V