参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7240TRPBF
说明	功率MOSFET   8-SO
起订量	4
最小包	4
现货	417 [库存更新时间：2024-05-11]
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	9250pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	15mΩ@10.5A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	10.5A
漏源极电压Vds	40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9250pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	8-SO