参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6811STRPBF
说明	功率MOSFET   DIRECTFET™SQ 4.85mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	175 [库存更新时间：2025-04-05]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 35µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1590pF @ 13V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 35µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1590pF @ 13V
封装/外壳	DIRECTFET™ SQ
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	74A
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.4mΩ
栅极电压Vgs	16V
Qg-栅极电荷	11nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	32W
高度	0.7mm
长度	4.85mm
FET类型	N-Channel
宽度	3.95mm