参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6645
说明	功率MOSFET   MG-WDSON-5
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4800
最小包	4800
现货	9888 [库存更新时间：2025-04-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	5.7A(Ta),25A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.9V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	890pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	3W(Ta),42W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	35mΩ@5.7A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-5