型号参数与资料
- 型号
- IRF6811STRPBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 35µA |
|---|---|
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1590pF @ 13V |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 35µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 17nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1590pF @ 13V |
| 封装/外壳 | DIRECTFET™ SQ |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | 25V |
| 连续漏极电流Id | 74A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.4mΩ |
| 栅极电压Vgs | 16V |
| Qg-栅极电荷 | 11nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 32W |
| 高度 | 0.7mm |
| 长度 | 4.85mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 3.95mm |
功率MOSFET DIRECTFET™SQ 4.85mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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