参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF5806TRPBF
说明	功率MOSFET   Micro6™(TSOP-6)
起订量	3
最小包	3
现货	415 [库存更新时间：2024-04-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	594pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	86mΩ@4A,4.5V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11.4nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	594pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
封装/外壳	Micro6™(TSOP-6)