参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF530NPBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB 10mm
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2024-05-06]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	920pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	37nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	920pF @ 25V
封装/外壳	TO-220AB
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	17A
Rds On(Max)@Id,Vgs	90mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	24.7nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	79W
高度	15.65mm
长度	10mm
FET类型	N-Channel
宽度	4.4mm