参数	值
产品	门驱动器
型号编码	IR2011STRPBF
说明	门驱动器   SOIC8N 5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5309 [库存更新时间：2025-04-05]
封装/外壳	SOIC 8N
驱动配置	半桥
FET类型	独立式
驱动器数	2
栅极类型	N 沟道 MOSFET
电压 - 电源	10 V ~ 20 V
逻辑电压 - VIL，VIH	0.7V,2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）	1A,1A
输入类型	反相
高压侧电压 - 最大值（自举）	200V
上升/下降时间（典型值）	35ns,20ns
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
电压-电源	10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH	0.7V,2.2V
电流-峰值输出（灌入，拉出）	1A,1A
高压侧电压-最大值（自举）	200V
激励器数量	2Driver
输出电流	1A
上升时间	50ns
下降时间	35ns
电源电压-最大	20V
电源电压-最小	10V
传播延迟—最大值	80ns
特点	Independent
高度	1.50mm
长度	5mm
输出端数量	2Output
宽度	4mm
逻辑类型	CMOS,TTL
最大关闭延迟时间	75ns
最大开启延迟时间	80ns
工作电源电流(mA)	230uA
功率	5/8W