参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPW65R190C7XKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO247-3 PG-TO247-3 TO-247 16.13mm 16.13x21.1x5.21mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2024-05-26]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	13A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 290µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1150pF @ 400V
Pd-功率耗散(Max)	72W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 毫欧 @ 5.7A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO247-3
封装/外壳	PG-TO247-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	13 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	72W
宽度	21.1mm
最低工作温度	-55 °C
长度	16.13mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	5.21mm
正向二极管电压	0.9V
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	16.13 x 21.1 x 5.21mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1150 pF @ 400 V
典型关断延迟时间	54 ns
典型接通延迟时间	11 ns
系列	CoolMOS C7