参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPL60R385CPAUMA1
说明	通用MOSFET   PG-VSON-4 PG-VSON-4 VSON 8.1x8.1x1.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	9A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 340µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	790pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
Pd-功率耗散(Max)	83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	385 毫欧 @ 5.2A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-VSON-4
封装/外壳	PG-VSON-4
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	900 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	VSON
引脚数目	4
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	83W
高度	1.10mm
正向二极管电压	0.9V
封装/外壳	8.1 x 8.1 x 1.1mm
系列	CoolMOS CP
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	790 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	10 ns
宽度	8.1mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-40 °C