参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | IPL60R085P7AUMA1 |
说明 | 通用MOSFET PG-VSON-4 PG-VSON-4 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 1 |
最小包 | 3000 |
现货 | 293 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | CoolMOS™ P7 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51nC @ 10V |
栅极电压Vgs | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2180pF @ 400V |
Pd-功率耗散(Max) | 154W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 85 毫欧 @ 11.8A,10V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | PG-VSON-4 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 650V |
连续漏极电流Id | 39A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 590µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2180pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 400V |
封装/外壳 | PG-VSON-4 |