| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IPI65R190CFD |
| 说明 | 功率MOSFET 10.2mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 500 |
| 最小包 | 500 |
| 现货 | 1287 [库存更新时间：2026-01-31] |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 17.5A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190mΩ |
| 栅极电压Vgs | 30V |
| Qg-栅极电荷 | 68nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 151W |
| 高度 | 9.45mm |
| 长度 | 10.2mm |
| 系列 | CoolMOSCFD2 |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 4.5mm |
| 下降时间 | 6.4ns |
| 上升时间 | 8.4ns |
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