参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPI65R110CFDXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO262-3 TO-262-3
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	31.2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	118nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3240pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	277.8W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	110 毫欧 @ 12.7A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3
封装/外壳	TO-262-3