参数	值
产品	未分类
型号编码	IPI60R299CPXKSA1
说明	未分类   PG-TO262-3 PG-TO262-3
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	29nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
功率	96W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	299 毫欧 @ 6.6A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3
封装/外壳	PG-TO262-3