参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPG20N10S4L22AATMA1
说明	功率MOSFET   8-PowerVDFN
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-04-29]
25°C时电流-连续漏极(Id)	20A
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 N-通道(双)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	22 毫欧 @ 17A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	2.1V @ 25uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	1755pF @ 25V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	27nC @ 10V
功率-最大值	60W
封装/外壳	8-PowerVDFN
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
漏源电压(Vdss)	100V