参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPG20N06S2L65ATMA1
说明	通用MOSFET   TDSON 5.15mm 5.15x5.9x1mm PG-TDSON-8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	636 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	79 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TDSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	43W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	5.15mm
高度	1mm
系列	OptiMOS
宽度	5.9mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	315 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	2 ns
封装/外壳	5.15 x 5.9 x 1mm
封装/外壳	PG-TDSON-8