参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPG20N06S2L35ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-4 TDSON 5.15mm 5.15x5.9x1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	636 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	20A
Rds On(Max)@Id,Vgs	35 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 27µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	790pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	65W
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	PG-TDSON-8-4
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	44 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TDSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	65W
典型接通延迟时间	3 ns
典型关断延迟时间	25 ns
漏源极电压Vds	610 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
最高工作温度	+175 °C
高度	1mm
系列	OptiMOS
宽度	5.9mm
最低工作温度	-55 °C
长度	5.15mm
封装/外壳	5.15 x 5.9 x 1mm
每片芯片元件数目	1 Ohms