参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD90N06S4L03ATMA2
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3-11 PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2024-05-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	90A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 90µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	170nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	13000pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.5 毫欧 @ 90A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3-11
封装/外壳	PG-TO252-3