参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD60R750E6BTMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 PG-TO252-3 DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.41mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	636 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	5.7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 170µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17.2nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	373pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
Pd-功率耗散(Max)	48W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	750 毫欧 @ 2A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	5.7 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.76 0hms
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	48W
宽度	6.22mm
最低工作温度	-55 °C
长度	6.73mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	2.41mm
正向二极管电压	0.9V
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	373 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	9 ns
系列	CoolMOS E6