参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD60R380P6ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 PG-TO252-3 DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.41mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	636 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	10.6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 320µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	19nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	877pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	380 毫欧 @ 3.8A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	10.6 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	380 m0hms
栅极电压Vgs	4.5V
最小栅阈值电压	3.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	83W
最高工作温度	+150 °C
长度	6.73mm
高度	2.41mm
正向二极管电压	0.9V
系列	CoolMOS P6
漏源极电压Vds	877 pF @ 100 V
最低工作温度	-55 °C
典型接通延迟时间	12 ns
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm
典型关断延迟时间	33 ns