参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD50N04S408ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 DPAK(TO-252) 6.5mm 6.5x6.22x2.3mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 17µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22.4nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1780pF @ 6V
Pd-功率耗散(Max)	46W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.9 毫欧 @ 50A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3-313
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	50A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.0079 0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	46W
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-55 °C
长度	6.5mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	2.3mm
正向二极管电压	1.3V
宽度	6.22mm
封装/外壳	6.5 x 6.22 x 2.3mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1370 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	5 ns
系列	OptiMOS T2