参数	值
产品	未分类
型号编码	IPI80N04S2H4AKSA1
说明	未分类   PG-TO262-3 TO-262-3 I2PAK(TO-262) 10mm 10x4.4x9.25mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	636 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	80A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	148nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4400pF @ 25V
功率	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4 毫欧 @ 80A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3
封装/外壳	TO-262-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	300W
长度	10mm
封装/外壳	10 x 4.4 x 9.25mm
宽度	4.4mm
晶体管材料	Si
高度	9.25mm
系列	OptiMOS
漏源极电压Vds	4400 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	46 ns
典型接通延迟时间	26 ns
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C