参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB65R660CFDA
说明	功率MOSFET   D2PAK(TO-263)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2287 [库存更新时间：2026-06-20]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	20nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	62.5W
系列	CoolMOS
下降时间	10ns
上升时间	8ns
典型关闭延迟时间	40ns
典型接通延迟时间	9ns
Moisture Level	1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs	660mΩ
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	6A
Technology	CoolMOS™ CFDA
RthJC max	2.0 K/W
QG (typ @10V)	20.0 nC
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
Budgetary Price €€/1k	0.83
Ptot max	62.5W
FET类型	N-Channel
RthJA max	62.0K/W
栅极电压Vgs	3.5V,4.5V
Special Features	automotive
Simulator	TINA
Language	PSpice
Encryption	no
Product Category	Power MOSFET HV CoolMOS™
工作温度	-40°C~150°C