参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB65R420CFD
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2287 [库存更新时间：2025-04-04]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	870pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	650V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 340µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	32nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	8.7A
Rds On(Max)@Id,Vgs	420mΩ
栅极电压Vgs	30V
Qg-栅极电荷	32nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	83.3W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	CoolMOSCFD2
FET类型	N-Channel
宽度	9.25mm
下降时间	8ns
上升时间	7ns