参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IPB65R380C6 |
说明 | 功率MOSFET 10mm D2PAK(TO-263) |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2287 [库存更新时间:2025-04-22] |
通道数量 | 1Channel |
Qg-栅极电荷 | 39nC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 83W |
高度 | 4.4mm |
长度 | 10mm |
系列 | CoolMOSC6 |
宽度 | 9.25mm |
下降时间 | 11ns |
上升时间 | 12ns |
典型关闭延迟时间 | 110nS |
Moisture Level | 1 Ohms |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 380mΩ |
漏源极电压Vds | 650V |
连续漏极电流Id | 10.6A |
封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
Rth | 1.5K/W |
QG | 39.0nC |
Budgetary Price €/1k | 0.69 |
Ptot max | 83.0W |
FET类型 | N-Channel |
RthJA max | 62.0K/W |
栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
工作温度 | -55°C~150°C |