参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IPB60R520CP |
说明 | 功率MOSFET 10mm D2PAK(TO-263) |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 287 [库存更新时间:2025-04-08] |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 66W |
高度 | 4.4mm |
长度 | 10mm |
系列 | CoolMOSCE |
宽度 | 9.25mm |
下降时间 | 16ns |
上升时间 | 12ns |
典型关闭延迟时间 | 74ns |
典型接通延迟时间 | 17ns |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 520mΩ |
漏源极电压Vds | 600V |
连续漏极电流Id | 6.8A |
RthJC max | 1.9 K/W |
封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
QG | 24.0nC |
Ptot max | 66.0W |
FET类型 | N-Channel |
栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
Mounting | SMT |
工作温度 | -55°C~150°C |