参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPI50R140CP
说明	功率MOSFET   10.2mm PG-TO262-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2024-06-07]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 930µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2540pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	23A
Rds On(Max)@Id,Vgs	140mΩ
栅极电压Vgs	20V
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	192W
高度	9.45mm
长度	10.2mm
系列	CoolMOSCE
FET类型	N-Channel
宽度	4.5mm
下降时间	8ns
上升时间	14ns
典型关闭延迟时间	80ns
典型接通延迟时间	35ns
封装/外壳	PG-TO262-3