参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD50R520CP
说明	功率MOSFET   PG-TO252-3 6.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2025-04-08]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	680pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	7.1A
Rds On(Max)@Id,Vgs	520mΩ
栅极电压Vgs	20V
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	66W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	CoolMOSCE
FET类型	N-Channel
宽度	6.22mm
下降时间	17ns
上升时间	14ns
典型关闭延迟时间	80ns
典型接通延迟时间	35ns