参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPA50R950CE
说明	功率MOSFET   PG-TO220-3 10.65mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1287 [库存更新时间：2025-04-03]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	231pF @ 100V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	4.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	800mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	10.5nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	26W
高度	16.15mm
长度	10.65mm
系列	CoolMOSCE
FET类型	N-Channel
宽度	4.85mm