参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPA50R800CE
说明	功率MOSFET   10.65mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2025-04-02]
漏源极电压Vds	500V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	280pF @ 100V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	7.6A
Rds On(Max)@Id,Vgs	720mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	12.4nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	26.4W
高度	16.15mm
长度	10.65mm
系列	CoolMOSCE
FET类型	N-Channel
宽度	4.85mm
下降时间	15.9ns
上升时间	5.5ns
典型关闭延迟时间	26ns
典型接通延迟时间	6.2ns