参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPA50R650CE
说明	功率MOSFET   10.65mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1287 [库存更新时间：2025-04-02]
漏源极电压Vds	500V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	342pF @ 100V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	9A
Rds On(Max)@Id,Vgs	590mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	15nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	27.2W
高度	16.15mm
长度	10.65mm
系列	CoolMOSCE
FET类型	N-Channel
宽度	4.85mm
下降时间	13ns
上升时间	5ns
典型关闭延迟时间	27ns
典型接通延迟时间	6ns