参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPA80R650CEXKSA2
说明	通用MOSFET   TO-220-3F PG-TO220-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	8A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 470µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	45nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	33W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	650 毫欧 @ 5.1A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3F
封装/外壳	PG-TO220-3