参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPA50R190CE
说明	功率MOSFET   TO-220FullPAK
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	500
现货	700 [库存更新时间：2025-04-02]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 510µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	47.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1137pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	32W(Tc)
Moisture Level	NA
Rds On(Max)@Id,Vgs	190mΩ
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	18.5A
封装/外壳	TO-220 FullPAK
Rth	3.9K/W
QG	47.2nC
Budgetary Price €€/1k	0.62
工作温度	-55.0°C
Ptot max	32.0W
FET类型	N-Channel
Pin Count	3.0Pins
RthJA max	80.0K/W
Mounting	THT
RthJC max	3.9K/W
栅极电压Vgs	2.5V,3.5V