参数 | 值 |
---|---|
产品 | IGBT |
型号编码 | FS150R12KT4_B9 |
说明 | IGBT |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 192 [库存更新时间:2025-04-02] |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1V |
在25 C的连续集电极电流 | 150A |
栅极—射极漏泄电流 | 100nA |
功率 | 750W |
包装方式 | Tray |
栅极/发射极最大电压 | ±20V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |
参数 | 值 |
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产品 | IGBT |
型号编码 | FS150R12KT4_B9 |
说明 | IGBT |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 192 [库存更新时间:2025-04-02] |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1V |
在25 C的连续集电极电流 | 150A |
栅极—射极漏泄电流 | 100nA |
功率 | 750W |
包装方式 | Tray |
栅极/发射极最大电压 | ±20V |
工作温度 | -40°C ~ 150°C |