参数	值
产品	IGBT模块
型号编码	FF8MR12W2M1B11BOMA1
说明	IGBT模块   模块
起订量	15
最小包	15
现货	437 [库存更新时间：2024-04-22]
25°C时电流-连续漏极(Id)	150A(Tj)
FET功能	碳化硅(SiC)
FET类型	2 N-通道(双)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	7.5 毫欧 @ 150A,15V(标准)
不同Id时Vgs(th)(最大值)	5.55V @ 60mA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	11000pF @ 800V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	372nC @ 15V
功率-最大值	20mW(Tc)
封装/外壳	模块
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)	1200V