参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMT6016LSS-13
说明	功率MOSFET   SO
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5240 [库存更新时间：2025-04-02]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	864pF @ 30V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SO
连续漏极电流Id	9.2A
Pd-功率耗散(Max)	2.1W
Qg-栅极电荷	17nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	18mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	1V
上升时间	5.2ns
下降时间	7ns
典型关闭延迟时间	13ns
典型接通延迟时间	3.4ns
系列	DMT60
通道数量	1Channel
配置	Single