参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	DMN65D8LDW-7
说明	小信号MOSFET   SOT-363
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6267 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	DMN
下降时间	6.3 ns, 6.3 ns
典型接通延迟时间	3.3 ns, 3.3 ns
上升时间	3.2 ns, 3.2 ns
通道数量	2 Channel
Qg-栅极电荷	870 pC, 870 pC
栅极电压Vgs	1V,1V
典型关闭延迟时间	12 ns, 12 ns
正向跨导-最小值	80 mS, 80 mS
Rds On(Max)@Id,Vgs	6Ω@115mA,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.87nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	22pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	300mW
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-363
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	0.2A