型号参数与资料
- 型号
- DMN6040SSD-13
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 功率MOSFET
| 配置 | Dual |
|---|---|
| 正向跨导-最小值 | 4.5 S |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22.4nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1287pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SO |
| 连续漏极电流Id | 5A |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W |
| Qg-栅极电荷 | 22.4nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 栅极电压Vgs | 1V |
| 上升时间 | 8.1ns |
| 下降时间 | 4ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20.1ns |
| 典型接通延迟时间 | 6.6ns |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 4.5S |
| 系列 | DMN6040 |
| 通道数量 | 2Channel |
功率MOSFET SO
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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