参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMN6040SSD-13
说明	功率MOSFET   SO
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5267 [库存更新时间：2025-04-02]
配置	Dual
正向跨导-最小值	4.5 S
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22.4nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1287pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SO
连续漏极电流Id	5A
Pd-功率耗散(Max)	1.7W
Qg-栅极电荷	22.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	40mΩ
漏源极电压Vds	60V
栅极电压Vgs	1V
上升时间	8.1ns
下降时间	4ns
典型关闭延迟时间	20.1ns
典型接通延迟时间	6.6ns
FET类型	2N-Channel
正向跨导 - 最小值	4.5S
系列	DMN6040
通道数量	2Channel