参数	值
产品	未分类
型号编码	DMN31D5UFZ-7B
说明	未分类   3-XFDFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	10000
最小包	10000
现货	20324 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.35nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	22.2pF @ 15V
栅极电压Vgs	±12V
功率	393mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	3-XFDFN
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	220mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.2V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA